Current Transmission Mechanisms in the Semiconductor Structure of a Photoelectric Transducer with an n+–p Junction and an Antireflection Porous Silicon Film Formed by Color Etching

材料科学 光电效应 多孔硅 蚀刻(微加工) 光电子学 半导体 阳极 p-n结 偏压 各向同性腐蚀 电压 纳米技术 电极 化学 电气工程 工程类 图层(电子) 物理化学
作者
В. В. Трегулов,V. G. Litvinov,А. В. Ермачихин
出处
期刊:Technical Physics [Pleiades Publishing]
卷期号:64 (5): 686-692
标识
DOI:10.1134/s1063784219050232

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