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作者
N. Kumar,N. V. Surovtsev,P. A. Yunin,Д. В. Ищенко,Ilya Milekhin,С. П. Лебедев,A. А. Lebedev,О. Е. Терещенко
摘要
The sum of relative ratios of peak widths of A g and E g modes of BSTS film grown on Si substrate was lower which indicated more ordered structure with lower contribution of localized defects compared to SiC/graphene substrate.
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