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作者
Ali Molaei Aghdam,Nima Mikaeili Chahartagh,Shahriar Namvar,Mahshid Ershadi,Farshad Boorboor Ajdari,Ehsan Delfani
摘要
Na ion insertion/extraction in a layered structure of SnS 2 leads to considerably high interspace layers SnS 2 (SnS 2 -HIL) from 0.86 to 1.10 nm. It enables higher Zn 2+ storage capacity in SnS 2 -HIL cathodes.
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