Controlled Self Compliance Filamentary Memory Behavior in Al/NiFe2O4/FTO Resistive Switching Device

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作者

Vidit Pandey,Priyanka Nehla,Sandeep Munjal

出处

期刊：Proceedings of the National Academy of Sciences, India. Section A, Physical sciences [Springer Science+Business Media]
日期：2023-08-06 卷期号：93 (3): 451-457 被引量：6

标识

DOI：10.1007/s40010-023-00842-y

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