Controlled Self Compliance Filamentary Memory Behavior in Al/NiFe2O4/FTO Resistive Switching Device

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作者
Vidit Pandey,Priyanka Nehla,Sandeep Munjal
出处
期刊:Proceedings of the National Academy of Sciences, India. Section A, Physical sciences [Springer Science+Business Media]
卷期号:93 (3): 451-457 被引量:6
标识
DOI:10.1007/s40010-023-00842-y
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