A variety of interface and strain tuning electronic properties of the MoS2/Cr2CX 2 van der Waals heterostructures

反铁磁性 材料科学 铁磁性 异质结 磁性半导体 范德瓦尔斯力 晶格常数 凝聚态物理 光电子学 单层 带隙 电子结构 半导体 纳米技术 化学 物理 光学 分子 有机化学 衍射
作者
Qian Sun,Yi Li,Zongxian Yang
出处
期刊:Journal of Physics D [Institute of Physics]
卷期号:54 (34): 345105-345105 被引量:3
标识
DOI:10.1088/1361-6463/ac0658
摘要

Two-dimensional transition metal carbide Cr2C is a potential magnetic material with controllable magnetic properties. The structures of MoS2 and Cr2CX2 (X = O, F, OH) are similar, and the lattice constants are about the same. The present work addresses interfaces between the nonmagnetic semiconductor MoS2 and the ferromagnetic metal Cr2C and Cr2CO2, as well as the antiferromagnetic semiconductor Cr2CX2 (X = F and OH), to explore the potential of these new hybrid systems in all-2D electronic and optoelectronic devices. The electronic structure of the van der Waals heterostructures composed of the MoS2 and Cr2CX2 monolayers is studied using first-principles method. Our results show that the electronic structure of the MoS2/Cr2CX2 heterostructures with different functional groups is very different. While MoS2/Cr2C and MoS2/Cr2CO2 are metals, MoS2/Cr2CF2 and MoS2/Cr2C(OH)2 are semiconductors. Biaxial strain applied to the heterostructures of MoS2/Cr2CF2 and MoS2/Cr2C(OH)2 makes their band gap decreasing and even causes a phase transition from semiconductor to metal. The results indicate that the MoS2/Cr2CX2 heterostructures can have tunable electronic and magnetic properties with different functional groups introduced or strain applied, which would have potential applications in designing high-performance electronic devices.
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