Silicon direct bonding via low-temperature wet chemical surface activation
直接结合
材料科学
硅
化学键
化学工程
化学
光电子学
有机化学
工程类
作者
Chengle Mai,Jiayuan Sun,Hongtao Chen,Cheng‐Kang Mai,Mingyu Li
出处
期刊：RSC Advances [Royal Society of Chemistry] 日期：2016-01-01卷期号：6 (43): 37079-37084被引量：15
标识
DOI：10.1039/c6ra05189h
摘要
A p–n junction with excellent I – V characteristics was prepared through low-temperature chemical surface activation direct bonding without rigorous conditions.
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
张欢馨
lixinglei
Kao
cdercder
OK
xing_xing
Hdjd
周业隆
woshi123
aajhajkahna
Criminology34
Jaysmith001
啵啵
四喜丸子
白石人家
ming2026
潇洒的惋清
科研狗
微笑猎豹
殷勤的紫槐
皖公网安备34019202002308
