Advancements in Ohmic Contact Technology for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

欧姆接触 材料科学 光电子学 晶体管 电子迁移率 氮化镓 工程物理 纳米技术 电气工程 电压 物理 工程类 图层(电子)
作者
Ho‐Young Kim,Ray‐Hua Horng,Hiroshi Amano,Tae‐Yeon Seong
出处
期刊:Progress in Quantum Electronics [Elsevier BV]
卷期号:102: 100578-100578
标识
DOI:10.1016/j.pquantelec.2025.100578
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