Targeting Synthesis of Diatomic Catalysts by Selective Etching and Sequential Adsorption of Metal Atom

化学 双原子分子 催化作用 Atom(片上系统) 吸附 金属 氧气 空位缺陷 无机化学 物理化学 光化学 结晶学 有机化学 分子 计算机科学 嵌入式系统
作者
Xiangrong Jin,Mengyao Chang,Hao Sun,Chun‐Wai Chang,Marshet Getaye Sendeku,Yajie Li,Maoyu Wang,Jinjie Fang,Yizhe Li,Qingyi Zhu,Boyuan Li,Jiage Yu,Yafei Liu,Zheng Chang,Guoxin Zhang,Zhongbin Zhuang,Lu Bai,Qing Ma,Zhenxing Feng,Wen Liu
出处
期刊:Journal of the American Chemical Society [American Chemical Society]
卷期号:147 (3): 2689-2698 被引量:24
标识
DOI:10.1021/jacs.4c14760
摘要

Diatomic catalysts featuring a tunable structure and synergetic effects hold great promise for various reactions. However, their precise construction with specific configurations and diverse metal combinations is still challenging. Here, a selective etching and metal ion adsorption strategy is proposed to accurately assign a second metal atom (M2) geminal to the single atom site (M1-Nx) for constructing diatomic sites (e.g., Fe-Pd, Fe-Pt, Fe-Ru, Fe-Zn, Co-Fe, Co-Ni, and Co-Cu). In this strategy, hydrogen peroxide selectively etches the positively charged carbon atoms near the M1-Nx moiety (denoted as α-C) and produces vacancy, which could trap the M2 at the subsequent adsorption step. These catalysts show optimized electronic structure and enhanced oxygen reduction activity compared to single-site counterparts, and the representative Fe-Pd-NC and Co-Fe-NC catalysts stand as the most active oxygen reduction reaction catalysts (half-wave potential of 0.92 and 0.91 V, respectively). The selective etching of α-C in single-atom catalysts reported here represents a new post-treatment strategy for the targeting synthesis of diatomic sites.
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