杰纳斯
凝聚态物理
图层(电子)
工程物理
物理
材料科学
结晶学
纳米技术
化学
作者
Lihua Geng,Kun Chen,Hong‐Yan Lu,Shizhuo Wang,Yang Yang
摘要
This study uses first-principles calculations to investigate electronic and valley properties of SL SMSiN 2 (M = Mo, W). Results show semiconducting behavior, valley spin splitting, high hole mobility, and strain-tunable band gaps.
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