CMOS-compatible GaN-based high electron mobility transistors with gate-first technology

欧姆接触 材料科学 光电子学 晶体管 栅极电介质 电气工程 电压 图层(电子) 纳米技术 工程类
作者
Sheng Gao,Zijing Xie,Nianhe Xiong,Xiaoyi Liu,Hong Wang
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier BV]
卷期号:264: 111860-111860 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.mee.2022.111860
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