Comparison between SiO2 films deposited by atomic layer deposition with SiH2[N(CH3)2]2 and SiH[N(CH3)2]3 precursors

原子层沉积 化学气相沉积 杂质 硅烷 化学 分析化学(期刊) 退火(玻璃) 硅酸盐 薄膜 图层(电子) 无机化学 材料科学 纳米技术 冶金 有机化学
作者
Satoshi Kamiyama,Takayoshi Miura,Yasuo Nara
出处
期刊:Thin Solid Films [Elsevier BV]
卷期号:515 (4): 1517-1521 被引量:72
标识
DOI:10.1016/j.tsf.2006.04.033
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