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Investigation of MoS2 growth on GaN/sapphire substrate using molecular beam epitaxy

分子束外延 蓝宝石 外延 光电子学 基质(水族馆) 材料科学 纳米技术 光学 生物 物理 图层(电子) 生态学 激光器
作者
Mohamed Al Khalfioui,Minh Tuan Dau,Zineb Bouyid,Ileana Florea,P. Vennéguès,J. Brault,S. Vézian,Adrien Michon,Y. Cordier,P. Boucaud
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:652: 128047-128047 被引量:7
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2024.128047
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