First-principles studies electronic structures and opticalproperties of four new phosphorene polymorphs

而二维过渡族金属硫化物(如MoS 2 )虽然具有很高的电流开关 比 [5] , 但是它的载流子迁移率却比石墨烯小很多 [6] , 偏 低的载流子迁移率限制了过渡族金属硫化物在电子领 域的应用 [7] .据研究, 黑磷(α-P)是直接带隙半导体材料, 且带隙合适(0.3-1.59eV) [7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19] , 其大小可由层数 [12][13][14] 和 应力 [15][16][17][18][19] 进行调节, 除此之外, 黑磷还具有很高的载 流子迁移率和电流开关比 [8] .