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The current limit and self-rectification functionalities in the TiO2/HfO2 resistive switching material system

整改 锡 材料科学 电阻随机存取存储器 电阻式触摸屏 电流（流体） 光电子学 纳米技术 电气工程 电压 物理 热力学 工程类 冶金
作者
Jung Ho Yoon,Dae Eun Kwon,Yumin Kim,Young Jae Kwon,Kyung Jean Yoon,Tae Hyung Park,Xing Long Shao,Cheol Seong Hwang
出处
期刊：Nanoscale [Royal Society of Chemistry]
日期：2017-01-01 卷期号：9 (33): 11920-11928 被引量：49
链接
nih.govdoi.org
标识
DOI：10.1039/c7nr02215h
摘要
The Pt/TiO2/HfO2−x/TiN resistive switching memory structure showed self-rectifying resistive switching behavior with unprecedented unique I–V curves named “self-current saturation”, which can give an extremely uniform variation of the low resistance state.
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