On-Chip Terahertz Spectroscopy for Dual-Gated van der Waals Heterostructures at Cryogenic Temperatures

太赫兹辐射 范德瓦尔斯力 太赫兹光谱与技术 光谱学 异质结 材料科学 光电子学 分析化学(期刊) 纳米技术 化学 物理 分子 量子力学 有机化学
作者
Junseok Seo,Zhengguang Lu,Seunghyun Park,Jixiang Yang,Fangzhou Xia,Shenyong Ye,Yuxuan Yao,Tonghang Han,Lihan Shi,Kenji Watanabe,Takashi Taniguchi,Amir Yacoby,Long Ju
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:24 (47): 15060-15067
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.4c04137
摘要

Van der Waals heterostructures have emerged as a versatile platform to study correlated and topological electron physics. Spectroscopy experiments in the THz regime are crucial since the energy of THz photons matches that of relevant excitations and charge dynamics. However, their micrometer size and complex (dual-)gated structures have challenged such measurements. Here, we demonstrate on-chip THz spectroscopy on a dual-gated bilayer graphene device at liquid helium temperature. To avoid unwanted THz absorption by metallic gates, we developed a scheme of operation by combining semiconducting gates and optically controlled gating. This allows us to measure the clean THz response of graphene without being affected by the gates. We observed the THz signatures of electric-field-induced bandgap opening at the charge neutrality. We measured Drude conductivities at varied charge densities and extracted key parameters including effective masses and scattering rates. This work paves the way for studying novel emergent phenomena in dual-gated two-dimensional materials.
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