Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate

材料科学 肖特基二极管 肖特基势垒 位错 热离子发射 透射电子显微镜 光电子学 外延 导电原子力显微镜 兴奋剂 凝聚态物理 二极管 复合材料 纳米技术 原子力显微镜 电子 图层(电子) 物理 量子力学
作者
Toshikazu Satō,Takeaki Hamachi,Tetsuya Tohei,Yusuke Hayashi,Masayuki Imanishi,Shigeyoshi Usami,Yusuke Mori,Akira Sakai
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:167: 107778-107778 被引量:5
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107778

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