辐照
材料科学
晶体管
光电子学
辐射耐受性
氧化物
剂量率
辐射
放射化学
电气工程
放射治疗
化学
光学
电压
工程类
物理
医学
核物理学
冶金
内科学
作者
D. Gaudin,J.M. Boyer,J.P. Dayid,J.F. Vadrot
标识
DOI:10.1109/radecs.1995.509783
摘要
Electrical behaviour observation was performed on CMOS4000B technology transistors and devices during a Co60 irradiation. Radiation test method determination was based on oxide trapped charges and interface states evolution at different irradiation dose rates.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI