Heterogeneous complementary field-effect transistors based on silicon and molybdenum disulfide

二硫化钼 材料科学 晶体管 光电子学 绝缘体上的硅 场效应晶体管 薄脆饼 电压 纳米技术 电气工程 工程类 冶金
作者
Ling Tong,Jing Wan,Kai Xiao,Jian Liu,Jingyi Ma,Xiaojiao Guo,Lihui Zhou,Xinyu Chen,Yin Xia,Sheng Dai,Zihan Xu,Wenzhong Bao,Peng Zhou
出处
期刊:Nature electronics [Nature Portfolio]
被引量:83
标识
DOI:10.1038/s41928-022-00881-0
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