Synergistic effects of vacancy and doping at Ge sublattices on the electronic and magnetic properties of new Janus Ge2PAs monolayer

杰纳斯 材料科学 单层 空位缺陷 兴奋剂 凝聚态物理 纳米技术 光电子学 物理
作者
Huynh Thi Phuong Thuy,Võ Văn Ớn,R. Ponce‐Pérez,J. Guerrero-Sánchez,D.M. Hoat
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:184: 108826-108826 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2024.108826
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