A direct correlation between structural and morphological defects of TiO2 thin films on FTO substrates and photovoltaic performance of planar perovskite solar cells

材料科学 结晶度 钙钛矿(结构) 锐钛矿 氧化锡 退火(玻璃) 薄膜 光电子学 氧化物 复合材料 兴奋剂 纳米技术 光催化 化学工程 冶金 工程类 生物化学 化学 催化作用
作者
Mario A. Millán-Franco,Carlos A. Rodríguez‐Castañeda,Paola M. Moreno-Romero,J. J. Prías‐Barragán,Oscar Andrés Jaramillo‐Quintero,Hailin Hu
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:161: 107452-107452 被引量:20
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107452
摘要

Titanium oxide (TiO2) precursor is often deposited on conductive fluorine doped tin oxide (FTO) to convert into crystalline anatase phase after a thermal annealing at 400–550 °C. A higher annealing temperature can increase the crystallinity of TiO2, but it may also induce morphological changes in both TiO2 and FTO. In this work, structural and morphological changes in thermally annealed FTO and TiO2/FTO are identified and semi-quantified by X-ray diffraction, scanning electron and atomic force microscopies. 400 °C annealed TiO2 shows the lowest crystallinity and the highest dislocation density, giving a poor photovoltaic performance of planar perovskite solar cells (p-PSCs). 550 °C annealed TiO2 exhibits the highest crystallinity and lowest dislocation density, but at such temperature the FTO films undergo an increase of surface roughness by more than 25%. As a result, 550 °C annealed TiO2 coatings on FTO substrates show the highest concentration of surface fracture and a larger exposed area of FTO, permitting a direct contact of upcoming perovskite with the FTO substrate. TiO2 thin films annealed at 450 or 500 °C show a compromising between the crystalline structure and defect density, giving a better energy conversion efficiency of 16.3% of p-PSCs prepared under ambient conditions.
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