科尔皮茨振荡器
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作者
Chunhua Wang,Hao Xu,Wan Zhao,Yan Hu
出处
期刊:Chinese Physics
[Science Press]
日期:2013-01-01
卷期号:62 (20): 208401-208401
被引量:2
标识
DOI:10.7498/aps.62.208401
摘要
用金属氧化物半导体(MOS)晶体管模型取代传统Colpitts混沌振荡电路中的三极管模型, 提出了一种基于MOS管的Colpitts混沌振荡电路. 通过合适的归一化方法, 得到了与基于三极管电路类似的状态模型. 平衡点的指标说明两种结构产生混沌的机理并不相同. 然后, 通过参数反演, 得到了详细的电路参数, 并用Pspice软件仿真得到了混沌吸引子和混沌信号的频谱图, 说明了此结构可在低电压下工作并且能产生高频率的混沌信号. 最后, 用误差反馈的方法实现了这种结构的同步.
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