Emerging 2D Metal Oxides: From Synthesis to Device Integration

材料科学 纳米技术 金属 数码产品 自旋电子学 剥脱关节 场效应晶体管 光伏 氧化物 晶界 石墨烯 晶体管 光伏系统 铁磁性 冶金 电气工程 微观结构 物理 电压 工程类 量子力学
作者
Kui Zhou,Gang Shang,Hsiao‐Hsuan Hsu,Su‐Ting Han,Vellaisamy A. L. Roy,Ye Zhou
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:35 (21): e2207774-e2207774 被引量:97
标识
DOI:10.1002/adma.202207774
摘要

Abstract 2D metal oxides have aroused increasing attention in the field of electronics and optoelectronics due to their intriguing physical properties. In this review, an overview of recent advances on synthesis of 2D metal oxides and their electronic applications is presented. First, the tunable physical properties of 2D metal oxides that relate to the structure (various oxidation‐state forms, polymorphism, etc.), crystallinity and defects (anisotropy, point defects, and grain boundary), and thickness (quantum confinement effect, interfacial effect, etc.) are discussed. Then, advanced synthesis methods for 2D metal oxides besides mechanical exfoliation are introduced and classified into solution process, vapor‐phase deposition, and native oxidation on a metal source. Later, the various roles of 2D metal oxides in widespread applications, i.e., transistors, inverters, photodetectors, piezotronics, memristors, and potential applications (solar cell, spintronics, and superconducting devices) are discussed. Finally, an outlook of existing challenges and future opportunities in 2D metal oxides is proposed.
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