Gate Voltage Dip as a New Indicator for Online Health Monitoring of SiC MOSFETS

碳化硅 MOSFET 电压 光电子学 材料科学 电气工程 直线(几何图形) 电子工程 工程物理 工程类 晶体管 几何学 冶金 数学
作者
Mathis Picot-Digoix,Frédéric Richardeau,Jean‐Marc Blaquière,Sébastien Vinnac,Stéphane Azzopardi,Thanh-Long Le
出处
期刊:IEEE Transactions on Power Electronics [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:40 (1): 142-145 被引量:1
标识
DOI:10.1109/tpel.2024.3476553
摘要

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