Reliable Operation in High‐Mobility Indium Oxide Thin Film Transistors

薄膜晶体管 材料科学 光电子学 氧化物 晶体管 电压 图层(电子) 电气工程 纳米技术 工程类 冶金
作者
Prashant R. Ghediya,Yusaku Magari,Hikaru Sadahira,Takashi Endo,Mamoru Furuta,Yuqiao Zhang,Yasutaka Matsuo,Hiromichi Ohta
出处
期刊:Small methods [Wiley]
被引量:6
标识
DOI:10.1002/smtd.202400578
摘要

Transparent oxide semiconductors (TOSs) based thin-film transistors (TFTs) that exhibit higher field effect mobility (µ
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