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Sequential Growth of Vertical Transition-Metal Dichalcogenide Heterostructures on Rollable Aluminum Foil

材料科学 过渡金属 异质结 化学气相沉积 纳米技术 图层(电子) 光电子学 化学 生物化学 催化作用
作者
Joseph Kojo Baidoo,Soo Ho Choi,Frederick Osei-Tutu Agyapong-Fordjour,Stephen Boandoh,Seok Joon Yun,Laud Anim Adofo,Andrew Ben‐Smith,Yong In Kim,Jeong Won Jin,Min‐Hyoung Jung,Hu Young Jeong,Young Min Kim,Young Hee Lee,Soo Min Kim,Ki Kang Kim
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:16 (6): 8851-8859 被引量:8
标识
DOI:10.1021/acsnano.1c10233
摘要

Vertical van der Waals heterostructures (vdWhs), which are made by layer-by-layer stacking of two-dimensional (2D) materials, offer great opportunities for the development of extraordinary physics and devices such as topological superconductivity, robust quantum Hall phenomenon, electron–hole pair condensation, Coulomb drag, and tunneling devices. However, the size of vdWhs is still limited to the order of a few micrometers, which restricts the large-scale roll-to-roll processes for industrial applications. Herein, we report the sequential growth of a 14 in. vertical vdWhs on a rollable Al foil via chemical vapor deposition. By supplying chalcogen precursors to liquid transition-metal precursor-coated Al foils, we grew a wide range of individual 2D transition-metal dichalcogenide (TMD) films, including MoS2, VS2, ReS2, WS2, SnS2, WSe2, and vanadium-doped MoS2. Additionally, by repeating the growth process, we successfully achieved the layer-by-layer growth of ReS2/MoS2 and SnS2/ReS2/MoS2 vdWhs. The chemically inert Al native oxide layer inhibits the diffusion of chalcogen and metal atoms into Al foils, allowing for the growth of diverse TMDs and their vdWhs. The conductive Al substrate enables the effective use of vdWhs/Al as a hydrogen evolution reaction electrocatalyst with a transfer-free process. This work provides a robust route for the commercialization of 2D TMDs and their vdWhs at a low cost.
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