Interconnecting layers of different crystalline silicon bottom cells in monolithic perovskite/silicon tandem solar cells

串联 钝化 钙钛矿(结构) 晶体硅 材料科学 光电子学 能量转换效率 纳米技术 图层(电子) 化学 结晶学 复合材料
作者
Lingling Yan,Can Han,Bowen Shi,Ying Zhao,Xiaodan Zhang
出处
期刊:Superlattices and Microstructures [Elsevier BV]
卷期号:151: 106811-106811 被引量:5
标识
DOI:10.1016/j.spmi.2021.106811
摘要

In the past five years, power conversion efficiency (PCE) of monolithic perovskite/silicon tandem solar cells is improved from 13.7% to 29.15%, demonstrating a massive growth. The electrical and optical properties of interconnecting layers (ICLs) play one of crucial roles in determining the performance of perovskite/crystalline silicon (c-Si) tandems. And the employment of ICLs is directly related with front passivation of bottom c-Si cells. Here, we reviewed the respective development progresses of ICLs for different c-Si bottom cells in monolithic perovskite/c-Si tandem solar cells. Then we present key strategies to realize a good electrical connection and light management. Finally, optimized ICLs were designed to enhance PCE of tandems based on the balance between optical and electrical aspects for different c-Si bottom cells, which will shed light on ICLs of perovskite/silicon tandems.
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