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作者
Yan Min-Yi,Danqing Wang,Zhongyuan Ma,Yao Yao,Liu Guang-Yuan,Li Wei,Xinfan Huang,Kunji Chen,Xu Jun,Xu Ling
摘要
从菲涅耳衍射积分的一般形式出发，结合二维（2D）移相光栅掩模(PSGM)的具体参数，通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上，采用激光干涉晶化的方法，利用周期为400 nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布，在氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅（nc-Si）阵列.测试结果表明：2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致，晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.
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