Room-temperature third-order nonlinear Hall effect in Weyl semimetal TaIrTe4

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作者
Cong Wang,Rui‐Chun Xiao,Huiying Liu,Zhaowei Zhang,Shen Lai,Chao Zhu,Hongbing Cai,Naizhou Wang,Shengyao Chen,Ya Deng,Zheng Liu,Shengyuan A. Yang,Weibo Gao
出处
期刊:National Science Review [Oxford University Press]
卷期号:9 (12) 被引量:39
标识
DOI:10.1093/nsr/nwac020
摘要

The second-order nonlinear Hall effect observed in the time-reversal symmetric system has not only shown abundant physical content, but also exhibited potential application prospects. Recently, a third-order nonlinear Hall effect has been observed in MoTe2 and WTe2. However, few-layer MoTe2 and WTe2 are usually unstable in air and the observed third-order nonlinear Hall effect can be measured only at low temperature, which hinders further investigation as well as potential application. Thus, exploring new air-stable material systems with a sizable third-order nonlinear Hall effect at room temperature is an urgent task. Here, in type-II Weyl semimetal TaIrTe4, we observed a pronounced third-order nonlinear Hall effect, which can exist at room temperature and remain stable for months. The third-order nonlinear Hall effect is connected to the Berry-connection polarizability tensor instead of the Berry curvature. The possible mechanism of the observation of the third-order nonlinear Hall effect in TaIrTe4 at room temperature has been discussed. Our findings will open an avenue towards exploring room-temperature nonlinear devices in new quantum materials.
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