MESFET
离子注入
阈值电压
材料科学
光电子学
电压
离子
砷化镓
电气工程
化学
场效应晶体管
晶体管
工程类
有机化学
作者
T. Mizutani,S. Ishida,Takashi Honda,Yasuhiro Kawasaki
出处
期刊：Electronics Letters
[Institution of Electrical Engineers]
日期：1982-01-01
卷期号：18 (2): 53-53
被引量：2
摘要
Threshold voltages for ion implanted GaAs MESFETs are measured and shown to have good coincidence with calculated results. The effect of implantation energy on threshold voltage is discussed. The optimum implantation energy is about 45 ∼ 60 keV.
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