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作者
Jean-Étienne Tremblay,Yung‐Hsiang Lin,Po‐Kai Hsu,Marcin Malinowski,Spencer Novak,Pengfei Qiao,Guillermo F. Camacho-González,Connie J. Chang-Hasnain,Kathleen Richardson,Sasan Fathpour,Ming C. Wu
出处
期刊：Conference on Lasers and Electro-Optics
日期：2017-01-01
卷期号：: SF1J.7-SF1J.7
被引量：2
标识
DOI：10.1364/cleo_si.2017.sf1j.7
摘要
Silicon nitride spot-size converters were fabricated in a damascene process to improve the performance of supercontinuum generation in arsenic-free chalcogenide waveguides. Supercontinuum generation covering 950–1750 nm with 200 pJ pulses is demonstrated.
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