Superconducting spintronic device based on Fe3GaTe2/CsV3Sb5/Fe3GaTe2 van der Waals heterojunctions

自旋电子学 异质结 范德瓦尔斯力 材料科学 凝聚态物理 超导电性 纳米技术 光电子学 铁磁性 物理 量子力学 分子
作者
Jing Kong,Haonan Wei,Jinyu Duan,Yuxuan Song,G. Y. Hou,Pengfei Liu,Ping Wang,Delin Zhang,Yong Jiang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:127 (14)
标识
DOI:10.1063/5.0272896
摘要

van der Waals (vdW) heterojunctions have emerged as highly promising candidates for next-generation spintronic devices, owing to their exceptional interface quality, scalability, and tunable electronic properties. Here, we report a vdW superconducting heterojunction based on the Fe3GaTe2/CsV3Sb5/Fe3GaTe2, which combines the strong perpendicular magnetic anisotropy of Fe3GaTe2 with the superconductivity and charge density wave order of the Kagome metal CsV3Sb5. Notably, this superconducting heterojunction exhibits a magnetoresistance of 0.25% at 2 K, approximately two times higher than that observed at elevated temperatures. The magnetic proximity effect in CsV3Sb5 modulates superconductivity by suppressing spin-singlet Cooper pairing and enabling spin-triplet states. The interplay between magnetism and superconductivity not only elucidates the coexistence of competing electronic orders in CsV3Sb5 but also highlights the potential of such heterojunctions for energy-efficient, high-performance spintronic devices. Our work establishes Fe3GaTe2/CsV3Sb5/Fe3GaTe2 as a promising platform for engineering spin-polarized superconducting states and advancing quantum computing technologies.
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