Superconducting spintronic device based on Fe3GaTe2/CsV3Sb5/Fe3GaTe2 van der Waals heterojunctions

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作者
Jing Kong,Haonan Wei,Jinyu Duan,Yuanyu Song,Gaomeng Hou,Pengfei Liu,Ping Wang,Delin Zhang,Yong Jiang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:127 (14)
标识
DOI:10.1063/5.0272896
摘要

van der Waals (vdW) heterojunctions have emerged as highly promising candidates for next-generation spintronic devices, owing to their exceptional interface quality, scalability, and tunable electronic properties. Here, we report a vdW superconducting heterojunction based on the Fe3GaTe2/CsV3Sb5/Fe3GaTe2, which combines the strong perpendicular magnetic anisotropy of Fe3GaTe2 with the superconductivity and charge density wave order of the Kagome metal CsV3Sb5. Notably, this superconducting heterojunction exhibits a magnetoresistance of 0.25% at 2 K, approximately two times higher than that observed at elevated temperatures. The magnetic proximity effect in CsV3Sb5 modulates superconductivity by suppressing spin-singlet Cooper pairing and enabling spin-triplet states. The interplay between magnetism and superconductivity not only elucidates the coexistence of competing electronic orders in CsV3Sb5 but also highlights the potential of such heterojunctions for energy-efficient, high-performance spintronic devices. Our work establishes Fe3GaTe2/CsV3Sb5/Fe3GaTe2 as a promising platform for engineering spin-polarized superconducting states and advancing quantum computing technologies.
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