High Total Ionizing Dose Effects on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors

CMOS芯片 电离辐射 图像传感器 光电子学 光学 材料科学 物理 吸收剂量 辐照 辐射 核物理学
作者
Bingkaï Liu,Yudong Li,Lin Wen,Jie Feng,Yulong Cai,Qi Guo
出处
期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (11): 2393-2399
标识
DOI:10.1109/tns.2024.3466180
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