Band gap and gate underlap engineered novel Si0.2Ge0.8/GaAs JLTFET with dual dielectric gate for improved wireless applications

双极扩散 跨导 材料科学 电介质 光电子学 栅极电介质 离子 带隙 电气工程 等离子体 晶体管 物理 工程类 电压 量子力学
作者
Kaushal Kumar,Ajay Kumar,Vinay Kumar,S. C. Sharma
出处
期刊:Aeu-international Journal of Electronics and Communications [Elsevier BV]
卷期号:166: 154671-154671 被引量:10
标识
DOI:10.1016/j.aeue.2023.154671
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