Thin Wafer를 이용한 Triple direct bonding에 관한 연구

MEMS 소자 제작 및 Wafer level Packaging 등에 적용될 수 있는 Thin wafer의 Triple bonding에 관하여, wafer 표면 처리 종류에 따른 초기 접합력의 차이를 파악보고, Thin Wafer의 Bow로 인한 초기 접합의 어려움과 열처리 후 발생하는 Void 문제 해결을 위한 실험이 진행되었다. 최종적으로 최소 두께 140㎛의 양면 patterning된 고형상비의 SOI wafer 3장의 접합에 있어, 약 700㎛ 이상의 Bow를 가진 Wafer의 초기 접합에 성공하였다. 또한, SPM과 SC-1 표면처리를 각 120℃, 10분과 75℃, 3분 진행하고 wafer 산화막 두께 1㎛, 접합 후 열처리 전 holding 시간 48시간 단계, 계단식 열처리 진행 등을 적용하여 6inch Wafer 전면에 10㎛ 이상 void 14개만 존재하는 양호한 결과를 얻었다.