Novel dynamic back-gate control technology for performance improvement in ultrathin double SOI LDMOS

LDMOS 跨导 光电子学 材料科学 绝缘体上的硅 兴奋剂 击穿电压 电气工程 钝化 泄漏(经济) MOSFET CMOS芯片 晶体管 电压 电子工程 工程类 纳米技术 图层(电子) 经济 宏观经济学
作者
Man Li,Anqi Liu,Jiafei Yao,Jun Zhang,Zixuan Wang,Fanyu Liu,Yufeng Guo
出处
期刊:Journal of Power Electronics [Springer Nature]
卷期号:25 (1): 139-148
标识
DOI:10.1007/s43236-024-00889-z
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