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Novel dynamic back-gate control technology for performance improvement in ultrathin double SOI LDMOS

LDMOS 跨导 光电子学 材料科学 绝缘体上的硅 兴奋剂 击穿电压 电气工程 钝化 泄漏(经济) MOSFET CMOS芯片 晶体管 电压 电子工程 硅 工程类 纳米技术 图层(电子) 经济 宏观经济学
作者
Man Li,Anqi Liu,Jiafei Yao,Jun Zhang,Zixuan Wang,Fanyu Liu,Yufeng Guo
出处
期刊:Journal of Power Electronics [Springer Science+Business Media]
卷期号:25 (1): 139-148
标识
DOI:10.1007/s43236-024-00889-z
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