Effect of AlGaN insertion layer in barriers on the optoelectronic characteristics of red light-emitting InGaN/GaN multi-quantum wells

材料科学 光电子学 发光 图层(电子) 波长 外延 量子阱 活动层 强度(物理) 光学 极化(电化学) 阻挡层 量子效率 发光二极管 分子束外延 宽禁带半导体 光致发光 半导体
作者
Wei Liu,Chengrui Yan,Di Wang,Zheng Liu,Bohan Shi,Runzhi Wang,Yujia Liu
出处
期刊:Optics Communications [Elsevier BV]
卷期号:608: 132979-132979
标识
DOI:10.1016/j.optcom.2026.132979
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