Type-II band alignment AlN/InSe van der Waals heterostructure: Vertical strain and external electric field

异质结 范德瓦尔斯力 电场 凝聚态物理 半导体 带隙 电子 材料科学 密度泛函理论 垂直的 电子能带结构 直接和间接带隙 电子迁移率 光电子学 化学 物理 计算化学 量子力学 几何学 数学 分子
作者
Ru Zhang,Yan Zhang,Xing Wei,Tingting Guo,Jibin Fan,Lei Ni,Y. F. Weng,Zhengdi Zha,Jian Liu,Ye Tian,Ting Li,Li Duan
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier BV]
卷期号:528: 146782-146782 被引量:43
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2020.146782
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