Effect of the Density of Surface V-Defects on Laser Properties of InGaN/GaN Heterostructures with Multiple Quantum Wells Grown on Silicon Substrates

异质结 材料科学 光电子学 氮化镓 量子阱 光致发光 激光器 铟镓氮化物 氮化物 纳米技术 光学 图层(电子) 物理
作者
A. V. Danilchyk,A. V. Nagornyi,N. V. Rzheutskyi,А. Г. Войнилович,V. N. Pavlovskyi,Е. В. Луценко
出处
期刊:Journal of Applied Spectroscopy [Springer Science+Business Media]
卷期号:88 (6): 1164-1168 被引量:2
标识
DOI:10.1007/s10812-022-01294-9

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