Origin of the wide band gap from 0.6 to 2.3 eV in photovoltaic material InN: quantum confinement from surface nanostructure

纳米结构 光伏系统 量子点 材料科学 带隙 光电子学 曲面(拓扑) 量子 纳米技术 工程物理 物理 电气工程 量子力学 几何学 工程类 数学
作者
Pu Huang,Junjie Shi,Ping Wang,Min Zhang,Yi-min Ding,Meng Wu,Jing Lü,Xinqiang Wang
出处
期刊:Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability [Royal Society of Chemistry]
卷期号:4 (44): 17412-17418 被引量:6
标识
DOI:10.1039/c6ta07700e
摘要

The origin of the wide band gap in InN is revealed and the surface nanostructure of InN with amazing characteristics is investigated in detail.

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