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Breakdown voltage over 10 kV β-Ga2O3 heterojunction FETs with RESURF structure

异质结 击穿电压 材料科学 光电子学 电压 工程物理 电气工程 物理 工程类
作者
Chenlu Wang,Sihan Sun,Chunxu Su,Hong Zhou,Jincheng Zhang,Yue Hao
出处
期刊：Science China Information Sciences [Springer Nature]
日期：2025-05-20 卷期号：68 (6) 被引量：1
标识
DOI：10.1007/s11432-024-4332-4
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