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作者
Han Bin Cho,Ha Jun Kim,N. S. M. Viswanath,Tuhin Samanta,Jeong Wan Min,Sung Woo Jang,Yong Min Park,Se Hyuk Jang,Heesun Yang,Won Bin Im
摘要
Control of crystallinity and electrical properties in V 2 O 5 prevents electron leakage and minimizes electron trapping, ensuring efficient hole injection and long-term device stability.
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