Study of A Heterojunction Double Gate Ferroelectric p-n-i-n Tunnel FET combining analytical modeling and TCAD simulation

异质结 铁电性 材料科学 光电子学 隧道场效应晶体管 双闸门 电子工程 工程物理 工程类 电气工程 场效应晶体管 MOSFET 晶体管 电压 电介质
作者
Shib Sankar Das,Sudipta Ghosh,Subir Kumar Sarkar
出处
期刊:Micro and nanostructures [Elsevier BV]
卷期号:196: 208003-208003 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.micrna.2024.208003
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