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作者
G. De Falco,A. Wurfel,Luca Maresca,Nando Kaminski,Andrea Irace,Dieter Silber
出处
期刊：European Conference on Power Electronics and Applications
日期：2015-10-29
卷期号：: 1-9
被引量：4
标识
DOI：10.1109/epe.2015.7311724
摘要
In this work, we present a TCAD simulation based analysis on high voltage trench IGBTs during switching conditions sufficiently stressful to trigger the dynamic avalanche phenomenon. The analyses show the effect of current filamentation on the collector-emitter-voltage of the IGBT.
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