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作者
Artem Shushanian,Daisuke Iida,Zhe Zhuang,Yu Han,Kazuhiro Ohkawa
出处
期刊:RSC Advances
[Royal Society of Chemistry]
日期:2022-01-01
卷期号:12 (8): 4648-4655
被引量:19
摘要
We studied the mechanism of wet electrochemical etching of n-GaN films in oxalic acid.
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