GaAs PIN Diode를 이용한 MMIC 리미터 설계 및 제작

作者
정명득,강현일
出处
期刊:Journal of electromagnetic engineering and science [The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science]
卷期号:14 (6): 625-629
链接
摘要

GaAs PIN 다이오드를 이용하여 저손실 고출력 MMIC 리미터를 설계하고 제작하였다. 고전력 수용 능력을 증가시키기 위하여 새로운 GaAs PIN 다이오드 에피구조를 제안하였다. 2종류의 리미터 회로를 설계하고 그 리미팅 전력을 측정하였다. 측정결과에서 리미팅 전력은 설계회로 토폴로지에 따라 달라졌다. 제작된 2단 리미터의 리미팅 전력은 14 GHz에서 각각 17 dBm과 23 dBm으로 측정되었다.

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