Temperature Dependent Threshold Voltage Shift in Planar and Trench SiC MOSFETs

材料科学 阈值电压 沟槽 平面的 光电子学 MOSFET 电压 电气工程 复合材料 工程类 计算机科学 晶体管 计算机图形学(图像) 图层(电子)
作者
Yichen Xu,Junsong Jiang,Xi Tang,Kun Tan,Cungang Hu,Wenping Cao
出处
期刊:Lecture notes in electrical engineering 卷期号:: 3-11
标识
DOI:10.1007/978-981-96-4812-2_1
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