Utilizing the Ability of Few-Layer MoS2 Integrated with MOCVD-Grown ZnGa2O4 for Thermally Stable Deep Ultraviolet Detection Performance

金属有机气相外延 紫外线 光电子学 材料科学 图层(电子) 纳米技术 外延
作者
Taslim Khan,Nahid Chaudhary,Ray‐Hua Horng,Rajendra Singh
出处
期刊:ACS applied electronic materials [American Chemical Society]
卷期号:6 (10): 7600-7610 被引量:9
标识
DOI:10.1021/acsaelm.4c01444
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