Evolution of crystal quality and stress in the early stages of GaN-on-Si (111) MOVPE with a single AlN buffer layer

金属有机气相外延 缓冲器(光纤) 图层(电子) 材料科学 压力(语言学) 单晶 光电子学 质量(理念) 结晶学 化学 纳米技术 计算机科学 外延 物理 哲学 电信 量子力学 语言学
作者
Cai Liu,Hassanet Sodabanlu,Masakazu Sugiyama,Yoshiaki Nakano
出处
期刊:Vacuum [Elsevier BV]
卷期号:233: 113945-113945 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.vacuum.2024.113945
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