Impact of Channel Doping Concentration on the Performance Characteristics and the Reliability of Ultra-Thin Double Gate DG-FinFET Compared with Nano-Single Gate FD-SOI-MOSFET by Using TCAD-Silvaco Tool

材料科学 跨导 MOSFET 绝缘体上的硅 光电子学 阈值电压 阈下斜率 阈下传导 兴奋剂 排水诱导屏障降低 晶体管 电气工程 信道长度调制 电压 硅 工程类
作者
Nassima Bourahla,Baghdad Hadri,A. Bourahla
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:14 (7): 3477-3491 被引量:14
标识
DOI:10.1007/s12633-021-01121-4
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