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作者
Ziqi Wang,Dan Xu,Jiaqi Liu,Zhiwen Wang,Wenlei Gao,Bowei Li,Aokai Xu,Hongan Ma,Youjin Zheng,Xiaopeng Jia
出处
期刊：CrystEngComm
[Royal Society of Chemistry]
日期：2026-01-01
卷期号：28 (12): 1913-1920
摘要
Boron-oxygen co-doped diamond was synthesized via the HPHT method, with B–O bond formation relieving B-induced lattice stress, delivering higher carrier mobility than pure BDD, ideal for high-performance semiconductors.
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